據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，為應(yīng)對(duì)美國特朗普政府可能出臺(tái)的半導(dǎo)體關(guān)稅政策，美國芯片廠商擴(kuò)大了本地化供應(yīng)鏈需求，臺(tái)積電也因此加快了“美國制造”的步伐。最新消息顯示，臺(tái)積電亞利桑那州第二座晶圓廠的量產(chǎn)時(shí)間將提前一年，并計(jì)劃引入最新的扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)，以滿足客戶對(duì)在美制造芯片的需求，同時(shí)提升供應(yīng)鏈彈性。
據(jù)臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，為迎合AMD、蘋果等大客戶的要求，臺(tái)積電將提前在亞利桑那州新廠生產(chǎn)3nm和2nm制程芯片。原計(jì)劃于2026年第四季度進(jìn)行的P2A裝機(jī)計(jì)劃，現(xiàn)已通知供應(yīng)商提前至今年9月完成。這意味著亞利桑那州第二廠第一期3nm制程將于2027年底量產(chǎn)，而第二期2nm制程預(yù)計(jì)在2028年量產(chǎn)，但仍比中國臺(tái)灣的量產(chǎn)時(shí)間晚兩年多。
目前，臺(tái)積電美國晶圓廠雖已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但缺乏后端封測(cè)產(chǎn)能，此前計(jì)劃與Amkor在美國的工廠合作。然而，隨著臺(tái)積電宣布追加1000億美元投資，其中包含建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠的規(guī)劃，這一局面或?qū)⒏淖儭?br/>據(jù)日媒報(bào)道，臺(tái)積電即將敲定扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)規(guī)格，第一代版本將采用300mm x 300mm的基板，比此前試做的510mm×515mm更小。目前，臺(tái)積電正在中國臺(tái)灣桃園興建試產(chǎn)線，預(yù)計(jì)最快于2027年開始小量試產(chǎn)。相較傳統(tǒng)圓形晶圓，面板級(jí)封裝技術(shù)可用面積更大，但臺(tái)積電為嚴(yán)格控管質(zhì)量，決定先采用略小的基板。
此前，臺(tái)積電曾考慮與群創(chuàng)等面板廠商合作，但最終決定自行開發(fā)，原因是面板產(chǎn)業(yè)在精密度和技術(shù)門檻上仍不足以支持先進(jìn)封裝制程的需求。面板級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)主要將晶圓切割成小芯片后排列到玻璃基板上，相較于傳統(tǒng)的晶圓堆疊技術(shù)（如WoW、CoWoS、SoIC等），其優(yōu)勢(shì)在于玻璃基板可強(qiáng)化散熱功能，但生產(chǎn)效率較低，未來主要使用者預(yù)計(jì)仍將是AI客戶。

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