德州儀器近期推出了全新的集成式氮化鎵（GaN）功率級系列，涵蓋LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070三款產品。這一系列產品采用行業標準TOLL封裝，將高性能柵極驅動器與650V GaN場效應晶體管（FET）相結合，顯著提升了電源設計的功率密度和效率，可廣泛應用于數據中心、工業電源及可再生能源等高需求場景。
據德州儀器工業電源設計服務總經理Robert Taylor透露，隨著數據中心能源需求的持續增長，全球數字基礎設施供電領域正逐步采用更智能、更高效的半導體技術。先進的芯片推動了人工智能的計算能力，而模擬半導體則在提升能源效率方面發揮關鍵作用。德州儀器的創新電源管理技術能夠幫助數據中心減少環境影響，同時滿足數字世界不斷增長的需求。
該系列功率級集成了高性能柵極驅動器與650V GaN FET，可實現高于98%的效率和超過100W/in3的功率密度。此外，器件還具備多種保護功能，包括過電流保護、短路保護和過溫保護，這些特性在服務器電源等交流/直流應用中尤為重要，因為設計人員需要在有限空間內實現更大功率輸出。
此前，德州儀器已在日本會津工廠投產基于氮化鎵的功率半導體，結合現有的制造產能，其自有GaN功率半導體的生產能力將提升至原來的四倍，進一步增強了供應鏈的穩定性。

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