據(jù)韓媒asiae報道，三星計劃于2025年11月量產(chǎn)首款采用2納米工藝的Exynos 2600芯片。若該芯片順利搭載于2026年初發(fā)布的Galaxy S26系列，三星將借此展示其2納米技術(shù)實力，吸引更多外部客戶。
Exynos 2600采用了Gate-All-Around（GAA）技術(shù)，這一工藝相比傳統(tǒng)的FinFET技術(shù)更為先進(jìn)。GAA技術(shù)通過四面環(huán)繞晶體管結(jié)構(gòu)，顯著提升了芯片性能并降低了功耗，滿足高性能芯片需求。三星此前已率先實現(xiàn)3納米GAA工藝的量產(chǎn)，但因良率較低，未能扭轉(zhuǎn)代工業(yè)務(wù)的虧損局面。
新任Foundry事業(yè)部負(fù)責(zé)人韓真晚（Han Jinman）上任后，三星在2納米工藝上取得了顯著進(jìn)展。他上任僅四個月，便著手優(yōu)化生產(chǎn)良率，并全面調(diào)整了生產(chǎn)線和運營模式。目前，2納米工藝的良率已從年初的20-30%提升至40%以上，遠(yuǎn)超3納米時期的表現(xiàn)。
盡管如此，三星與行業(yè)龍頭臺積電的差距依然明顯。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2024年第四季度，臺積電的市場份額達(dá)67.1%，而三星僅為8.1%，首次跌至個位數(shù)。此外，臺積電的2納米工藝初期良率已達(dá)到60%，而量產(chǎn)通常需要良率達(dá)到70-80%。三星需在下半年進(jìn)一步優(yōu)化工藝，以縮小與臺積電的差距。
韓真晚提出了“技術(shù)提升”和“客戶拓展”兩大目標(biāo)，推動代工業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。他積極拓展三星的客戶群，從北美大廠擴(kuò)展至中國、印度和歐洲的設(shè)計公司，增加成熟制程訂單，以降低固定成本并提升競爭力。

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