三言兩語說透柯里化和反柯里化
JavaScript中的柯里化(Currying)和反柯里化(Uncurrying)是兩種很有用的技術，可以幫助我們寫出更加優雅、泛用的函數。本文將首先介紹柯里化和反柯里化的概念、實現原理和應用
近日，旺宏電子與中國臺灣半導體研究中心（TSRI）共同發布了新型高密度、高帶寬3D DRAM技術。該技術不使用傳統電容，以2顆IGZO晶體管串聯存儲信號，具有體積小、高帶寬、能耗低、耐用度高等優勢。
半導體中心指出，這種無電容設計使存儲器尺寸更小，3D堆疊更緊密，同時消除了電容導致的讀寫速度慢和耗能高的問題。使用寬能隙半導體材料還可延長數據保存時間，未來有望成為新一代HBM。
面對中國大陸DeepSeek的挑戰，半導體中心表示，芯片市場依然真實且前景廣闊。臺積電董事長魏哲家和NVIDIA CEO黃仁勛均對AI芯片市場持樂觀態度，認為這將推升HBM需求。
旺宏電子資深處長謝光宇表示，該技術是全新結構，未來量產需考慮市場和應用環境，但在技術上已具備可行性。此次合作標志著旺宏在3D DRAM領域已占據一席之地。
此外，半導體中心還指出，AI芯片需要高速、高密度、低耗能的HBM來滿足大數據運算需求。現有DRAM受封裝技術限制，帶寬受限且耗能高，因此研發新型HBM具有重要意義。
本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-27-134202-0.html旺宏與TSRI合作研發3D DRAM，或成新一代HBM
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號