近日,英特爾正式發(fā)布了其尖端的Intel 18A制程工藝,并宣布該技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。據(jù)預(yù)測,該工藝將于2025年年中實現(xiàn)量產(chǎn),首發(fā)產(chǎn)品為酷睿Ultra 300系列處理器。
相較于之前的工藝節(jié)點,Intel 18A在能效和芯片密度上均有顯著提升,分別提高了15%和30%。此外,其SRAM密度也實現(xiàn)了重大改進,為客戶提供了更靈活的供應(yīng)替代方案。
Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)柵晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)等創(chuàng)新技術(shù)。RibbonFET技術(shù)可實現(xiàn)電流的精確控制,進一步縮小芯片組件體積,同時減少漏電。
而PowerVia技術(shù)則將金屬和凸塊重新定位到芯片背面,提高了密度和單元利用率,降低了電阻供電下降。
值得一提的是,Intel 18A的量產(chǎn)時間將比臺積電的N2工藝領(lǐng)先近一年。此外,英特爾還在積極利用ASML最新的High NA EUV光刻機來擴大其技術(shù)優(yōu)勢,為未來的芯片制造領(lǐng)域奠定堅實基礎(chǔ)。
隨著Intel 18A制程工藝的發(fā)布,英特爾再次展示了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力和領(lǐng)先地位。
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