據(jù)臺媒《工商時報》報道,在美國特朗普政府威脅對中國臺灣生產(chǎn)的芯片加征關(guān)稅的背景下,臺積電計劃進(jìn)一步擴大對美國的投資,并為2nm工藝在美國量產(chǎn)做準(zhǔn)備。英國《金融時報》也表達(dá)了類似觀點,并援引熟悉臺積電的人士的消息稱,臺積電可能還將決定在美國建立先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
臺積電自2020年5月宣布在亞利桑那州進(jìn)行第一筆投資以來,投資金額從最初的120億美元逐步提升至650億美元。2024年4月,為了獲得《芯片與科學(xué)法案》的補貼,臺積電宣布將在亞利桑那州鳳凰城建造三座晶圓廠,總投資金額達(dá)到650億美元,創(chuàng)造超過25000個直接就業(yè)機會。
根據(jù)計劃,這三座晶圓廠將包括一期的4nm晶圓廠,已開始量產(chǎn);二期的3nm晶圓廠,預(yù)計2028年量產(chǎn);三期的2nm晶圓廠,預(yù)計在2030年前后量產(chǎn)。臺積電還計劃在美國建立先進(jìn)封裝產(chǎn)能,以補全制造流程。
特朗普政府計劃對中國臺灣生產(chǎn)的芯片加征關(guān)稅,迫使臺積電進(jìn)一步擴大在美國的投資。臺積電管理層認(rèn)為,將過多的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到美國會破壞其商業(yè)模式,并受到中國臺灣當(dāng)局的限制。然而,為了獲得美國政府的補貼并避免高額關(guān)稅,臺積電可能會加快向美國引入先進(jìn)技術(shù)的時間表,并承諾進(jìn)一步增加投資。
臺積電在美國的投資計劃不僅有助于實現(xiàn)美國到2030年生產(chǎn)20%全球最先進(jìn)邏輯芯片的目標(biāo),也將為臺積電在全球市場的競爭力提供有力支持。
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