石頭自清潔掃拖機器人G10S評測：多年黑科技集大成之作 懶人終極福音
科技圈經常能看到一個詞叫“縫合怪”，用來形容那些把好多功能或者外觀結合在一起的產品，通常這樣的詞是貶義詞，但如果真的是產品縫合的好、縫合的實用的話，那它就成了中性詞，今
英特爾近日在其半導體代工業務相關頁面上宣布了一項重大進展，其備受矚目的“四年五個節點”計劃中的巔峰之作——Intel 18A工藝，已經籌備就緒，并計劃在2025年上半年正式投入流片階段。
這一里程碑式的成就不僅標志著英特爾IDM 2.0戰略的深度推進，更是英特爾代工服務（IFS）重振雄風的關鍵一步。對于英特爾前CEO Pat Gelsinger而言，這無疑是一個值得慶賀的好消息，盡管他已從崗位上退休。
據悉，Intel 18A工藝將至少應用于英特爾下一代移動處理器Panther Lake的部分產品中。英特爾透露，Panther Lake芯片預計將于今年下半年發布并開始生產，但由于Intel 18A工藝的初期產能有限，搭載該工藝的筆記本電腦大規模上市可能要等到2026年。
英特爾還計劃在2026年推出Nova Lake桌面處理器，這兩款產品被視為英特爾復興的關鍵驅動力，英特爾期望它們能夠顯著提升公司的財務狀況。
不僅如此，英特爾還將于明年上半年推出首款基于Intel 18A工藝的服務器產品Clearwater Forest，該產品原本計劃在2025年發布。英特爾強調，今年的重點是提升“至強”系列處理器的市場競爭地位，以縮小與競爭對手的差距。
關于Intel 18A工藝，英特爾表示，該工藝采用了創新的PowerVia背面供電技術和RibbonFET全環繞柵極（GAA）晶體管技術。與Intel 3工藝相比，Intel 18A工藝的密度提升了30%，單位功耗性能提升了15%。據行業分析，其SRAM密度已與臺積電的N2制程相當，且在功耗和性能平衡方面更具優勢。
PowerVia背面供電技術通過分離供電層與信號層，實現了芯片密度和單元利用率的提升，幅度達到5%-10%。相較于傳統的正面供電設計，該技術顯著降低了電阻壓降（IR Drop），在相同功耗條件下，性能提升最高可達4%。
RibbonFET全環繞柵極晶體管技術則采用了納米帶結構，實現了對電流的精確控制。這一創新在芯片元件微縮化的過程中有效降低了漏電率，緩解了高密度芯片的功耗問題。
英特爾強調，Intel 18A技術作為IFS的核心競爭力，憑借其多項突破性創新，將成為北美地區首個量產的2nm以下先進制程節點，為全球客戶提供更多元化的供應鏈選擇。
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