快科技8月28日消息,在先進(jìn)工藝上臺(tái)積電一騎絕塵,今年將會(huì)量產(chǎn)2nm工藝N2,接下來(lái)是1.6nm的A16工藝,再往后就是1.4nm的A14了。
現(xiàn)在1.4工藝的工廠也在啟動(dòng)中了,因?yàn)楣S建設(shè)需要兩年時(shí)間,中科管理局發(fā)布的信息顯示,中科二廠園區(qū)的水土工程預(yù)計(jì)在9月底完工,臺(tái)積電將在10月份動(dòng)工建廠。
除了臺(tái)積電的工廠之外,還有額外的5公頃土地預(yù)計(jì)會(huì)吸引半導(dǎo)體設(shè)備、IC設(shè)計(jì)等產(chǎn)業(yè)鏈廠商入駐。
臺(tái)積電4月份已經(jīng)公布過(guò)建廠計(jì)劃,中科二廠編號(hào)為Fab 25,規(guī)劃建設(shè)4座晶圓廠,首座將在2027年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2028年下半年量產(chǎn),初期產(chǎn)能為月產(chǎn)5萬(wàn)晶圓。
這里的工廠將會(huì)導(dǎo)入1.4nm工藝,官網(wǎng)信息顯示,與臺(tái)積電領(lǐng)先業(yè)界的N2制程相比,A14將在相同功耗下,提升達(dá)15%的速度;或在相同速度下,降低達(dá)30%的功率,同時(shí)邏輯密度增加超過(guò)20%。

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