晶體管數量/密度一直是衡量半導體技術進步的重要指標，目前已經可以做到單芯片1000多億個晶體管，比如Intel Ponte Vecchio GPU。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

IEDM 2022 IEEE國際電子器件會議上，Intel公布了多項新的技術突破，將繼續貫徹已經誕生75年的摩爾定律，目標是在2030年做到單芯片集成1萬億個晶體管，是目前的10倍。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

摩爾定律原型47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

從應變硅、高K金屬柵極、FinFET立體晶體管，到未來的RibbonFET GAA環繞柵極晶體管、PowerVia后置供電，再到2.5D EMIB＋3D Foveros、Foveros Direct/Omni封裝技術，Intel一直在從各項技術上推動摩爾定律。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

IEDM 2022會議上，Intel披露了三個方面的技術突破：47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

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1、下一代3D封裝準單芯片47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

基于混合鍵合(hybrid bonding)，將集成密度和性能再提升10倍。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

同時，間距縮小到3微米，使得多芯片互連密度和帶寬媲美如今的單芯片SoC。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

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2、超薄2D材料在單芯片內集成更多晶體管47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

使用厚度僅僅3個原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆棧納米片，在雙柵極結構上，在室溫環境、低漏電率下，達成了非常理想的晶體管開關速度。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

第一次深入揭示了2D材料的電接觸拓撲，可實現更高性能、更有彈性的晶體管通道。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

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3、高性能計算能效、內存新突破47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel研發了可垂直堆疊在晶體管之上的全新內存，并首次展示了全新的堆疊鐵電電容，性能媲美傳統鐵電溝道電容，可用于在邏輯芯片上打造FeRAM。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel正在打造300毫米直徑的硅上氮化鎵晶圓，比標準的氮化鎵提升20倍。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel在超高能效方面也取得了新的突破，尤其是晶體管在斷電后也能保存數據，三道障礙已經突破兩道，很快就能達成在室溫下可靠運行。47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

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Intel制造工藝路線圖47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel封裝技術路線圖47J28資訊網——每日最新資訊28at.com

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